$北京君正(SZ300223)$
一、涨价超预期的核心表现
1. Q4全线产品涨幅显著上修（对比原预期）
二、涨价超预期的核心驱动原因
1. 需求端：数据中心成核心拉动力，替代需求加速
• 数据中心需求强劲：DDR5、HBM（高带宽内存）、HDD（机械硬盘）、eSSD（企业级固态硬盘）需求同步旺盛，尤其AI算力需求带动存储容量升级；
• HDD缺货倒逼替换：HDD产能刚性且持续缺货，价格上涨推动数据中心加速将HDD切换为eSSD，进一步拉动NAND需求。
2. 供给端：产能收缩+结构优化，供给弹性不足
产品类别 供给端核心特征
DRAM 1. 头部厂商陆续停产DDR4、LP4等老旧产品；2. DDR5、HBM等高端产品需求爆发，产能利用率打满；3. 行业新增产能有限，供给难以快速释放。
NAND 1. 近几年海外大厂无新建产能，仅大陆有少量新增，整体供给纪律性强；2. 当前行业产能利用率处于80%以下低位，供给端主动收缩支撑价格。
三、投资建议与风险提示
1. 重点关注标的
• 存储模组及主控：开普云、德明利、香农芯创、江波龙、佰维存储、联芸科技（直接受益于产品涨价，业绩弹性显著）；
• 存储设计：兆易创新、普冉股份、北京君正、东芯股份（技术壁垒较高，受益于行业格局优化）。
2. 风险提示
• 下游需求不及预期（若手机、服务器出货量下滑，可能削弱存储涨价动能）；
• 行业新增产能超预期释放（若头部厂商加速扩产，可能打破供需紧平衡）。
#社区牛人计划# #盘逻辑：深度解析，理清投资思路# $香农芯创(SZ300475)$ $东芯股份(SH688110)$
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